| カテゴリー | 単位の名称 | 単位記号 | 定義・備考 |
|---|---|---|---|
| 電流 | アンペア | Ａ | 真空中に１ｍの間隔で平行に置いた無限に小さい円形断面積を有する無間に長い２本の直線状導体のそれぞれを流れ、これらの導体の長さ１ｍごとに２×１０−７ニュートンの力を及ぼし合う不変の電流 |
| キロアンペア | ｋＡ | 接頭語付きＳＩ単位 | |
| ミリアンペア | ｍＡ | ||
| 電荷・電気量 | クーロン | Ｃ | １Ａの不変の電流によって１ｓ間に運ばれる電気量 |
| アンペア時 | Ａ・ｈ | ＳＩ組立併用単位 | |
| 体積電荷密度・電荷密度 | クーロン毎立方メートル | Ｃ／ｍ３ | 帯電体の体積１ｍ３あたりに１Ｃの電荷が分布するときの体積電荷密度 |
| クーロン毎立方ミリメートル | Ｃ／ｍｍ３ | 接頭語付きＳＩ組立単位 １Ｃ／ｍｍ３＝１０９Ｃ／ｍ３ | |
| 表面電荷密度 | クーロン毎平方メートル | Ｃ／ｍ２ | 表面積１ｍ２あたりに１Ｃの電荷が分布するときの表面電荷密度 |
| ミリクーロン毎平方ミリメートル | Ｃ／ｍｍ２ | 接頭語付きＳＩ組立単位 １Ｃ／ｍｍ２＝１０６Ｃ／ｍ２ | |
| 電界の強さ | ボルト毎メートル | Ｖ／ｍ | １Ｃの電気量を有する無限に小さい静止している帯電体に働く力の大きさが１Ｎである真空中の電解の強さ |
| ミリボルト毎メートル | ｍＶ／ｍ | 接頭語付きＳＩ組立単位 | |
| 電位・電圧 | ボルト | Ｖ | １Ａの不変の電流が流れ導体の２点間で消費される電力が１Ｗであるとき、その点間の電位 |
| ミリボルト | ｍＶ | 接頭語付きＳＩ組立単位 | |
| 電束密度・電気変位 | クーロン毎平方メートル | Ｃ／ｍ２ | 電束の方向に垂直な面の１ｍ２につき１Ｃの電束密度 |
| クーロン毎平方ミリメートル | Ｃ／ｍｍ | 接頭語付きＳＩ組立単位 １Ｃ／ｍｍ２＝１０６Ｃ／ｍ２ | |
| 電束・電気変位束 | クーロン | Ｃ | １Ｃの電荷から出る電束 |
| ミリクーロン | ｍＣ | 接頭語付きＳＩ組立単位 | |
| 静電容量 | ファラド | Ｆ | １Ｃの電気量を充電した時１Ｖの電圧を生ずる２導体間の静電容量 |
| マイクロファラド | μＦ | 接頭語付きＳＩ組立単位 | |
| ピコファラド | ｐＦ | ||
| 誘電率 | ファラド毎メートル | Ｆ／ｍ | 誘電体中に１Ｖ／ｍの電荷が存在するとき、その誘電体中の電束密度が１Ｃ／ｍ２となる場合のその誘電体の誘電率 |
| マイクロファラド毎メートル | μＦ／ｍ | 接頭語付きＳＩ組立単位 １μ／Ｆ＝１０−９Ｆ／ｍ | |
| 磁界の強さ | アンペア毎メートル | Ａ／ｍ | 一様な磁界において磁界の方向に沿って１ｍ離れた２点間の起磁力が１Ａである磁界の強さ |
| アンペア毎ミリメートル | Ａ／ｍｍ | 接頭語付きＳＩ組立単位 １Ａ／ｍｍ＝１０３Ａ／ｍ | |
| アンペア回数毎メートル | ＡＴ／ｍ | 非ＳＩ単位 １ＡＴ／ｍ＝１Ａ／ｍ | |
| 磁束密度 | テスラ | Ｔ | 磁界の方向に垂直な面の１ｍ２につき１Ｗｂの磁束密度 |
| ウェーバ毎平方メートル | Ｗｂ／ ｍ２ | ＳＩ組立単位 １Ｗｂ／ｍ２＝１Ｔ | |
| ガウス | Ｇｓ | ＣＧＳ系の非ＳＩ単位 １Ｇｓ＝０．１ｍＴ | |
| ガンマ | γ | ＣＧＳ系の非ＳＩ単位 １γ＝１ｎＴ | |
| 磁束 | ウェーバ | Ｗｂ | １回巻きの閉回路と鎖交する磁束が一様に減少してその回路に１Ｖの起電力を生じているとき、１ｓ間に変化する磁束 |
| ミリウェーバ | ｍＷｂ | 接頭語付きＳＩ組立単位 | |
| マクスウェル | Ｍｘ | ＣＧＳ系の非ＳＩ単位 １Ｍｘ＝１０−８Ｗｂ | |
| 自己インダクタンス | ヘンリー | Ｈ | 磁界内のある点の磁束密度がＢＷｂ／ｍ２であるとき、Ｂ＝ｒｏｔＡと表されるベクトルポテンシャルＡの単位 |
| ミリヘンリー | ｍＨ | 接頭語付きＳＩ組立単位 | |
| 透磁率 | ヘンリー毎メートル | Ｈ／ｍ | 磁性体中に１Ａ／ｍの磁界が存在するとき、その磁性体中の磁束密度が１Ｔとなるときの透磁率 |
| マイクロヘンリー毎メートル | μＨ／ｍ | 接頭語付きＳＩ組立単位 | |
| 電気抵抗 | オーム | Ω | １Ａの電流が流れる導体の２点間の電圧が１Ｖであるとき、その２点間の電気抵抗 |
| キロオーム | ｋΩ | 接頭語付ＳＩ組立単位 | |
| メグオーム | ＭΩ | ||
| 抵抗率 | オームメートル | Ωｍ | １Ａ／ｍ２の電流密度の電流が流れている導体に、電流の方向１ｍごとに１Ｖの電圧を生ずるときの抵抗率 |
| キロオームメートル | ｋΩｍ | 接頭語付きＳＩ組立単位 | |
| 導電率 | ジーメンス毎メートル | Ｓ／ｍ | 手効率が１Ω・ｍである導体の導電率 |
| キロジーメンス毎メートル | ｋＳ／ｍ | 接頭語付きＳＩ組立単位 | |
| 磁気抵抗 | 毎ヘンリー | Ｈ−１ | １Ｗｂの磁束が通る磁路の２点間の磁位差が１Ａであるときの２点間の磁気抵抗 |
| アンペア毎ウェーバ | Ａ／Ｗｂ | ＳＩ組立単位 １Ａ／Ｗｂ＝１Ｈ−１ | |
| アンペア回数毎ウェーバ | ＡＴ／Ｗｂ | 非ＳＩ単位 １ＡＴ／Ｗｂ＝１Ｈ−１ | |
| 電力量 | ジュール | Ｊ | １Ｊの仕事に相当する電力量 |
| ワット秒 | Ｗ・ｓ | ＳＩ組立単位 １Ｗ・ｓ＝１Ｊ |