AMR素子（An-Isotropic Magnetoresistive device）

　異方向性磁気抵抗効果を利用したデバイスです。

ＭＲセンサは、Ｓｉ若しくはガラス基板と、その上に形成された Ni.Feなどの強磁性金属を主成分とする合金の薄膜で構成さ れています。形成された薄膜強磁性金属は、特定方向の磁界の 強度に応じて抵抗値が変化します。この効果を利用したのが ＭＲセンサです。特定の磁界方向で抵抗値が変わる為、ＭＲ （Magneto-Resistance）の前にＡ（Anisotropic）を付け、 ＡＭＲ(Anitorpic-Magneto-Resistance)センサ＝異方性磁 気抵抗素子と呼び、半導体ＭＲセンサと区別できるようにして います。図１のように薄膜強磁性金属に電流を流し、磁界Ｈが 電流方向Ｙに対して垂直方向Ｘに印加された場合、磁界の強さ に応じて抵抗値が下がります。

AMR 素子のライバル素子は、GMR（Giant Magnetoresistive）、コロッサル磁気抵抗（Colossal）があります。 MR 素子は強磁界材料を使用しています。
AMR は、溶けたパーマロイ材料を特定方向に磁界をかけた状態で固めたも のです。GMR は、薄膜MR 素子を特定方向へスキーの貼板のように積層し たものです。磁気ビームを急峻に。

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