GMR素子

　巨大磁気抵抗効果（GMR:Giant Magneto Resistive effect）を利用したデバイスです。

巨大磁気抵抗効果を応用した磁気ヘッドの登場によって、HDDの容量が飛躍的に増大した。
　そのブレイクスルーとは1997年にIBMが導入した「GMRヘッド(巨大磁気抵抗、Giant ManetoResistance)」だ。これのおかげで、私たちのパソコンのディスク容量は有り余るほどになったし、IBMのマイクロドライブはCF(Compact Flash)カードと同じサイズながら1GBという大容量が可能となった。実は、このGMRヘッドはスピントロニクスのもっとも先駆け的な存在といえる。

GMR は、薄膜MR 素子を特定方向へスキーの貼板のように積層し たものです。

GMR回転センサは，GMR素子と処理回路をワンチップ化したICチップと永久磁石からなり，歯車の回転に伴う磁束変化をGMR素子パター ンが検出する。二つのGMR素子パターンをホイートストンブリッジに構成することで，温度依存性を最小限に抑えている。GMRホイートスト ンブリッジの出力は，増幅後コンパレートされ，矩〔く〕形波として出力される。

　●　巨大磁気抵抗効果（GMR:Giant Magneto Resistive effect）

　普通の金属の磁気抵抗効果（物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象）は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜（F層）と非強磁性薄膜（NF層）を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗比を示すものがある。このような現象を巨大磁気抵抗効果と呼ぶ。
1987年にドイツのペーター・グリューンベルク,フランスのアルベルト・フェールトらによって発見された。 巨大磁気抵抗効果は、多層膜の磁気構造が外部磁場によって変化するために生じる。 磁気多層膜以外においても、ペロブスカイト型マンガン酸化物においても見られる。

　⇒　センサの種類