Subject   : GMR素子

カテゴリー : デバイス > センサ


 GMR素子
 巨大磁気抵抗効果(GMR:Giant Magneto Resistive effect)を利用したデバイスです。

巨大磁気抵抗効果を応用した磁気ヘッドの登場によって、HDDの容量が飛躍的に増大した。
 そのブレイクスルーとは1997年にIBMが導入した「GMRヘッド(巨大磁気抵抗、Giant ManetoResistance)」だ。これのおかげで、私たちのパソコンのディスク容量は有り余るほどになったし、IBMのマイクロドライブはCF(Compact Flash)カードと同じサイズながら1GBという大容量が可能となった。実は、このGMRヘッドはスピントロニクスのもっとも先駆け的な存在といえる。

GMR は、薄膜MR 素子を特定方向へスキーの貼板のように積層し たものです。

GMR回転センサは,GMR素子と処理回路をワンチップ化したICチップと永久磁石からなり,歯車の回転に伴う磁束変化をGMR素子パター ンが検出する。二つのGMR素子パターンをホイートストンブリッジに構成することで,温度依存性を最小限に抑えている。GMRホイートスト ンブリッジの出力は,増幅後コンパレートされ,矩〔く〕形波として出力される。

 ● 巨大磁気抵抗効果(GMR:Giant Magneto Resistive effect)
 普通の金属の磁気抵抗効果(物質の電気抵抗率が磁場により変化する現象)は数%だが、1nm程度の強磁性薄膜(F層)と非強磁性薄膜(NF層)を重ねた多層膜には数十%以上の磁気抵抗比を示すものがある。このような現象を巨大磁気抵抗効果と呼ぶ。
1987年にドイツのペーター・グリューンベルク,フランスのアルベルト・フェールトらによって発見された。 巨大磁気抵抗効果は、多層膜の磁気構造が外部磁場によって変化するために生じる。 磁気多層膜以外においても、ペロブスカイト型マンガン酸化物においても見られる。
 ⇒ センサの種類

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