シリコンウェハ（silicon wafer）

ICチップの製造に使われる半導体でできた薄い基板。シリコン製のものが多く、 これを特に「シリコンウェハ」と呼ぶ。
　ウェハは、原料の物質をインゴットと呼ばれる直径120mmから200mm程度の 円柱状に結晶成長させ、0.5mmから1.5mm程度に薄くスライスして作製した円盤で、 直径5インチ(125mm)、8インチ(200mm)、12インチ(300mm)のものがよく使われる。
　ICチップはウェハ上に回路パターンを焼き付けて製造される。通常、1枚の ウェハには同じチップの回路パターンが碁盤の目状にいくつも並べられ、 露光やエッチングなどの処理が行なわれる。最後に長方形に切り出された ものがICチップとなる。
　インゴットは太さ数mm、長さ20cm程度の種結晶と呼ばれる中心部から徐々に 溶融された原料をもとに結晶を成長させ、ウェハの直径と同じ太さで 長さ数10cmから1m程度の柱状の単結晶として得られる。
　原料にはシリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、ガリウムヒ素(GaAs)などが 用いられるが、最も広く用いられているのはシリコンで、 純度99.999999999%(イレブンナイン)という超高純度の多結晶シリコンを精製、 使用している。
　半導体技術の進歩に伴って大きな直径のウェハの作成が可能となり、 現在主流の直径200mmのウェハから今後は徐々に直径300mmのウェハに移行 している。