イオン注入（ion implantation）

イオン打ち込みともいい、固体の性質を変えるための不純物原子を、 イオン化して加速し，固体中に打ち込む。
半導体の一部をp型やn型，または低抵抗にするための方法の一つ（不純物注入）。MOSトランジスタのソースやドレイン形成に利用する。熱拡散などで不純物を導入する方法に比べて，不純物の濃度やその分布を制御しやすい。

半導体ウェハ表面に加速したイオンを打ちこみ、半導体結晶内に高度に制御された濃度の特定の不純物 (ドーパント) を導入する手法。導入深さはイオンの加速エネルギーで制御し、不純物濃度はイオンビーム (電流) と注入時間で制御する。パターンを形成されたフォトレジストなどをマスクにすることにより、特定の領域への不純物導入が可能であるが、注入した不純物をSi中のアクセプタまたはドナーとして活性化するためには、アニール処理と呼ばれる熱処理が必要となる。

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