半導体の前工程（ウェハ工程）

素子間分離。ICにおいて，同一基板内の各素子が干渉しあい悪影響をおよぼさないように，お互いを電気的に絶縁分離すること。LOCOSは代表的なものである。

●　フロントエンド・プロセス（front end process）

半導体の前工程（ウェハ工程）では，シリコン単結晶基板を対象としてトランジスタなどの素子を作り込む下地（したじ）工程のことをいう。ソース／ドレインやゲート酸化膜，コンタクトホールの形成工程がこれに相当する。

●　バックエンド・プロセス（back end process）

半導体の前工程（ウェハ工程）では，上地（うわじ）工程のことをいう。素子を相互に接続するための配線あるいは電源やグランド（接地）用の配線構造を作る工程。層間絶縁膜形成，デュアルダマシン構造，パッド形成などがある。これに対して，トランジスタなどの素子を作り込む工程のことを下地（したじ）工程またはフロントエンド・プロセスという。