半導体の後工程

●　バンプ（bump）

　ICの電極部にメッキで形成した突起のこと。通常，金（Au）またははんだ（Sn-Pb）の電気メッキで形成し，TABやフリップチップにおける基板接続のために使用する。高密度半導体の需要増加で，“チップ面積の縮小”と“多ピン化”といった相反する要求に対応するため，ボンディング装置などの加工精度に比較的依存しにくい基板接続手法が必須となっている。実装手法の例として下記が上げられる。?金バンプ（TAB実装：Tape Automated Bonding）：フレキシブル基板（ポリイミド）に形成されたボンディング用のリード（インナリード）とIC上のバンプを一度に接合する手法 ，?金バンプ（COG実装 Chip on Glass）：液晶パネルへのIC実装方法として最近注目されている。液晶パネルに形成された基板電極部に金バンプ付きICチップを直接実装する手法 ，?フリップチップ実装：共晶はんだ（Sn:Pb=6:4）によって，相手側の基板電極とIC側の全てのバンプを同時に接合する。金バンプのTABやCOG実装と同様であるが，フリップチップ実装は再生交換が可能なことが特徴である。

　ダイシング（dicing）

ウェハ製造工程で完成したウェハ上のチップを，スクライブラインに沿ってダイヤモンドカッタ（ブレード）で切断し，個々のチップに分割する工程。ダイシングには，ウェハ切断時にウェハの厚みを一部残して切り込むハーフカット法と，完全に切断するフルカット法とがあるが，チップの割れ・欠けなどの品質面で有利なフルカット法が現在の主流となっている。