HEMT（high electron mobility transistor）

bipolar complementary metal-oxide-semiconductor（Bipolar-CMOS） 高電子移動度トランジスタ。ガリウムひ素（GaAs）などの化合物半導体をヘテロ接合（2種類の異なった半導体材料の接合）し，その接合面を電子が高速移動する性質を利用した超高速トランジスタ。ヘテロ接合には，ガリウムひ素とn型ガリウム・アルミニウム・ひ素（GaAlAs）が利用される。シリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）などを使った半導体よりはるかに動作速度が速い。衛星放送受信機，携帯電話などの高周波増幅素子などに使われる。　

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