窒化ガリウム（GaN）

　　ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる窒化物半導体である。バンドギャップが3.45eV（光の波長で約365nmに相当）とSiより3倍広いという特性を活かして，光デバイス向けに多用されている。インジウム（In）やアルミニウム（Al）を混ぜてバンドギャップを調整することで，青色発光ダイオード（LED）や青紫色半導体レーザといった発光デバイスが実用化している。

◆　応用分野

青色発光ダイオード（LED）や青紫色半導体レーザといった発光デバイス

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