Subject   : DRAMとSRAM

カテゴリー  : 半導体 


 DRAM(Dynamic Random Access Memory)
 DRAMは、記憶データをコンデンサ(キャパシタ)の電荷として蓄えているため、一定時間経つと自然放電によりデータが消えてしまう。このため情報を維持するために定期的に情報を読み出し、再度書き込みをする必要がある。この動作をリフレッシュといい、記憶を保持するのに1秒間に数十回の頻度で繰り返しリフレッシュを行う必要があることからダイナミック(=動的)RAMと呼ばれるようになった。

アドレスを指定してからデータを読み出すまでの時間はSRAMよりも若干遅いものの、記憶部の構造が単純で、容量あたりのコストが安いと言う特徴がある。DRAM のアクセス方式によって様々な種類のものが市販されている。常にリフレッシュを行っているため、SRAMに比べ消費電力が高い。

 SRAM(Static Random Access Memory)
 は記憶部にフリップフロップ回路を用いており、リフレッシュ動作が必要ない。原理的にDRAMより高速動作させることができるが、記憶部の回路が複雑になるため容量あたりのコストが高い。DRAMに比べ、低速動作では消費電力が低い。電気回路のかわりに記憶素子として磁性体を用いる MRAM も SRAM の一種である。

DRAMと比べて記憶容量あたりの単価が高いため、高速な情報の出し入れが可能な点を生かしたキャッシュメモリでの使用や、低消費電力を生かした携帯型機器での使用など、比較的データ量の少ない用途によく用いられる。低消費電力の例として、SRAMに小さな電池を内蔵あるいは外部に配置することで、主電源が供給されない間も記憶情報を保持する仕組みの不揮発メモリ(NVRAM, コンピュータの時計やBIOS設定情報の保持など)が挙げられる。(バッテリーバックアップ機能)
 ⇒ メモリの基礎

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