MOCVD法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）

　MOCVDとは、化学反応により基板上に薄膜を形成するCVD(化学気相成長法)の一種である有機金属化学気相成長法のこと。原料に有機金属(ガス化が容易である)を用いるために、こう呼ばれている。

　金属錯体原料を原料層に入れて液体状になるようにヒーターで加熱、キャリアガスを原料層内に流入させることにより、気化した原料ガスが配管を通って、反応管へと運ばれ、基板上に蒸着されて成膜が行われます。　高真空を必要とせず、大面積、複雑な形状の基盤にも成膜可能、量産性に優れるという特徴が挙げられる方法です。

ガスの流量や、温度、圧力、基板温度などを制御することで、他の方法に比べて大面積に、効率よく、均質な薄膜結晶を作成でき、単一原子層での制御も可能である。化合物半導体や、半導体レーザー、紫外・青色・白色LEDなどの量産に使用されている。

○

　⇒　膜形成方法（deposition）
　⇒　エピタキシー（epitaxy）