Subject : イオンプレーティング法
カテゴリー : 半導体
イオンプレーティング法
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『真空容器内で金属を蒸着させると同時に、反応性ガスを導入して金属イオンや励起粒子とガスを反応させ、化合物の被膜を形成させる方法』です。
イオンプレーティングは、真空蒸着とプラズマの複合技術である。イオンプレーティングは、原則としてガスプラズマを利用して、蒸発粒子の一部をイオンもしくは励起粒子とし、活性化して蒸着する技術である。したがって反応ガスのプラズマを利用して蒸発粒子と結合させ、化合物膜を合成させる反応性イオンプレーティングが極めて有効である。プラズマ中の操作であるため、安定なプラズマを得るのが第1条件であり、低ガス圧の領域での弱電離プラズマによる低温プラズマを用いる場合が多い。
ミラーや光学フィルタなどの光学多層膜作成に主に使われています。
イオンプレーティングは、反応性エレクトロン・ビーム蒸発法のPVDプロセスです。 スパッタリングは、金属板からコーティング材を取り出すために、アルゴンイオンによるボンバードメントを用いるけれども、イオンプレーティングにおいては、コーティング材の金属成分(例えば、チタン、クロム等)は、低電圧のアークによって蒸発させます。
イオンプレーティングの中にもアークプラズマ方式とホロカソード方式(HCD法)があります。
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膜形成方法(deposition)
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エピタキシー(epitaxy)
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