Subject   : レーザーアブレーション法(Pulsed Laser Deposition)

カテゴリー  : 半導体 > プロセス


 レーザーアブレーション法(Pulsed Laser Deposition)
強力なレーザ光を固体に照射すると、表面から原子、分子、クラスターが蒸発して固体表面が削り取られる現象をレーザアブレーションと言う。この現象を利用し、薄膜や新機能の物質をつくりだす事ができる。

集光されたレーザー光を真空中に設置された固体薄膜原料に照射し、光科学 反応を伴う爆発的な気化によって発生した励起科学種を対向する基板上に薄膜 として堆積する方法。

ArF(193 nm)、KrF(248 nm)、XeCl(308nm)等のエキシマレーザーがしばしば用いられる。

○ レーザ蒸発法(laser evaporation)
レーザー蒸発法は、レーザーのエネルギーで蒸発原料を蒸発させる方法である。ニッケル/コバルトなどの触媒金属を混ぜた黒鉛に、レーザーの強いパルス光を照射し蒸発させることによって、カーボンナノチューブを生成させる。比較的高い純度の単層カーボンナノチューブを得る事ができる、連続生産が出来ないため、アーク放電法に較べると、その生産性は低いといわれている。

○ レーザ照射法( Laser Illumination)
ナノ技術「ボトムアップ(Bottom-Up)法」の一つ。電子やレーザなどのビームをバルク物質に照射して分解し、小さな微粒子や薄膜を作製する方法。 分子線エピタキシー 、レーザビームアブレーションなどがある。
 ⇒ 膜形成方法(deposition)
 ⇒ エピタキシー(epitaxy)

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