Ion Shower

　プラズマドーピングと同概念の技術として論じられる場合が多いが、装置コンセプトが異なる。RF又はバケット型の大口径イオン源からシャワー状のイオンビームを引出し、ウェーハにイオン注入する。通常のイオン注入装置と異なり、質量分離装置を持たないためドーパントを含む全てのイオンが注入されることはプラズマドーピングと同じである。この技術は既に TFT ( Thin Film Transistor ) 液晶パネルの製造プロセスとして実用化されている。

□　プラズマドーピング ( Plasma doping )

　ドープする不純物原子を含んだガスを用いてプラズマを発生させ、プラズマ中に置いたウェーハにマイナスのバイアス電圧をかけて不純物をドーピングするプロセス。ドーパントイオン以外のイオンが混入することによるデバイス特性、品質管理上の問題点が指摘される一方、通常のイオン注入に比較して注入起因の欠陥の低減、アニール温度の低温化など利点もある。

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