PGILD ( Projected Gas Immersion Laser Doping )

　ウェーハ表面にドーパントガスをフローさせエキシマレーザを照射して光化学反応によりドーパントガス分解すると同時に照射部分を局部的に溶解して、この部分に不純物のドーピングを行う装置。イオン注入と異なり、欠陥の生成が抑制され活性化のためのアニール処理が不要になる。

□　エキシマレーザドーピング（Excimar Laser Doping）

　

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