PIII ( Plasma Immersion Ion Implantation )

　パルス状のバイアス電圧を印加し、不純物ドーピングを行うプラズマドーピング。

□　プラズマドーピング ( Plasma doping )

　ドープする不純物原子を含んだガスを用いてプラズマを発生させ、プラズマ中に置いたウェーハにマイナスのバイアス電圧をかけて不純物をドーピングするプロセス。ドーパントイオン以外のイオンが混入することによるデバイス特性、品質管理上の問題点が指摘される一方、通常のイオン注入に比較して注入起因の欠陥の低減、アニール温度の低温化など利点もある。

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