Pocket注入

　MOS トランジスタのイクステンション部の下に作られた、ウェル又は基板より不純物濃度の高い領域形成のための注入。ゲート電極の厚さをチャンネル領域で厚く、ポケット注入領域で薄くして注入することにより形成する

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