単一イオン注入 ( SII: Single Ion Implantation )

　従来のイオン注入はシャワー状のイオンビームをウェーハに照射し不純物をドーピングするため、ドーズの精度はビーム電流の計測精度等で制限され、たかだか0.1%程度である。デバイスプロセスの進展に伴いドーズ精度の向上が求められるが、その究極の姿がイオンを１個ずつ計測しながら注入する単一イオン注入である。

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