光学変調器

　半導体レーザーの注入電流を変調することで、光強度の変調を行う方法を直接強度変調と言う。この場合は、周波数チャーピングが発生する。この結果、変調によるスペクトル広がりよりスペクトルが広くなり、光ファイバーの波長分散の影響を強く受けてしまう。外部の変調器を用いることで、半導体レーザー光源を一定の電流で駆動できるため、この影響を回避することができる。 外部変調器は、電気光学効果型(EO)、光音響効果型(AO)、吸収効果を用いた電界吸収型(EA)がある。 EO変調器の中で、ニオブ酸リチウム(LiNbO3,LN)導波路型のものは、一般的にLN変調器と呼ばれる。

　○　EA変調器

半導体の電界吸収効果は、半導体の微細構造（量子井戸）に電界を加えることで、伝導体と荷電子帯のエネルギー準位差（バンドギャップ）が変化し、光の吸収量が変化する現象である。 バンドギャップが大きい時には、光吸収がなく、そのまま透過するため透明である。バンドギャップが小さい時には、光が吸収される。 EA変調器は小型で、低電圧で動作できるため、半導体レーザーと集積化が可能である。EA変調器はまた、偏光依存性はないが、少しばかりのチャープが存在する。

＜出典：optipedia＞

　⇒　波長可変レーザー