気相成長（vapor phase growth）

材料を気体（気相）状態にして結晶基板表面に薄膜を成長する技術。これには，化学気相成長（CVD）と物理気相成長（PVD）がある。　

●　CVD（chemical vapor deposition）

化学気相成長。ウェハ上に薄膜を形成する方法の一つ。配 線として用いる多結晶シリコン，表面保護膜や絶縁膜として用いる酸化シリコン ，窒化シリコン，PSG（phospho-silicate glass : リン化酸化膜ガラス）など， 形成したい薄膜の構成元素をもった気体をウェハ上に流し，その表面で 化学反応を起こさせて薄膜を形成する方法。
CVDは現在のIC製造プロセスの主流となっている。
1.エネルギー源，2.成膜圧力，3.反応方式などで以下のように分類される。
　　1.には熱CVD法，光CVD法，プラズマCVD法，
　　2.には常圧CVD（AP-CVD），減圧CVD（LP-CVD），
　　3.には有機金属化学気相成長法（MO-CVD）
などがある。

●　PVD（physical vapor deposition）

物理的気相成長。物理的手段（たとえば，スパッタリング）を用いて材料物質を 堆積させる成膜法。 PVD法には、真空蒸着法、分子線エピタキシー法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、レーザー堆積（アブレーション）法などがある。

真空蒸着法は、真空中で物質を加熱蒸発させ、基板に物理的に付着させることによって薄膜を作製。プロセスの効率は平衡蒸気圧で決まる。
スパッタリング（スパッタ）とは、真空中にアルゴンなどの放電用ガスを注入して、 電極に電圧を加えるとグロー放電が発生する。このとき，プラズマの中の イオンが陰極のターゲットに衝突して原子をはじき出す現象。 これを利用して気相成長やエッチングを行う。

　⇒　膜形成方法（deposition）