MOS FET（MOS field effect transistor）

MOS型電界効果トランジスタ。ソース・ゲート・ドレインの3電極があり，ゲート電極に加えた電圧によってソースとドレイン間のチャネル電流を制御する。
MOS（モス）とは、 metal-oxide-semiconductor　で、金属酸化膜半導体のこと。 シリコン基板などの半導体表面に酸化膜を介して金属を付けた構造をもつデバイス。金属?酸化膜?半導体の構造をとる。ソースからドレインに移動するキャリアの量（ソースとドレイン間のチャネル電流）を，絶縁体を介してゲート電圧で制御する。MOS構造はそのまま容量（キャパシタ）として使うこともあるが，MOS ICの基本トランジスタとして重要である。
MOS FETにはnMOS FETとpMOS FETの2種類がある。バイポーラ・トランジスタに比べてチップ内のデバイス占有面積が小さく，製造工程が短いので高集積化に適している。また，入力インピーダンスが高く，構造が簡単であるため高集積化に適している。

●　nMOS（n-channel MOS）

n型（nチャンネル）MOS EFTの略称。基板がp型で構成され，ソースとドレイン部がn型に作られたMOSデバイス。ソースとドレイン間のチャネル電流が電子（エレクトロン）によって運ばれるので，pMOSより高速である。

●　pMOS（p-channel MOS）

p型（pチャンネル）MOS FETの略称。基板がn型で構成され，ソースとドレイン部がp型に作られたMOSデバイス。チャネル電流は正孔（ホール）によって運ばれる。nMOSに比べて速度が遅いので，単独では高い出力電圧が必要な場合など特殊な用途に使われる。

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