TAOS（Transparent Amorphous Oxide Semiconductor）

TAOS（Transparent Amorphous Oxide Semiconductor）とは、透明アモルファス酸化物半導体のことで、アモルファスシリコンの10倍以上の移動度を持ち，低温で容易に作成できる半導体です。a-InGaZnO4 (a-IGZO) が代表的な材料です。

東京工業大学の細野教授らによる2004年の発明以来，アモルファス酸化物半導体(AOS:Amorphous Oxide Semiconductor)をチャネル材料に用いるTFTが，次世代フラット・パネル・ディスプレイ（FPD)を駆動するバック・プレーンのキー技術として注目を集めている。

●　TAOS-TFT

　TAOS-TFTの魅力はその移動度である。細野先生曰く「8cm2/Vsを保証します」というだけに，a-Si TFTに比べて1ケタ高い値である。加えて，スパッタリング法で成膜したTAOSによってTFTを造れたり，300℃程度の熱処理で特性が安定したり，透明材料である，という特徴がある。
TAOS-TFTの利点は、 a-Si TFT液晶パネルに採用する場合は，外付けのLSIの使用個数を減らせることである。有機ELパネルに採用する場合は，2個のトランジスタと1個のキャパシタ（2T-1C）で有機EL素子を駆動できるということ。電子ペーパーへの応用では，低温プロセスを生かして基板をプラスチック化できるということである。
課題は、酸素空孔の制御，アニール手法の確立，キャリア移動度のさらなる向上，光照射による特性変動の抑制などがある。

　⇒　酸化物半導体