FeRAM（Ferroelectric RAM）

　FeRAMとは、強誘電体を利用した不揮発メモリの一種。

　強誘電体とは、電圧を加えることによって物質内の自発分極(物質内に電気的な正負が生じる状態)の方向を自由に変化させ、電圧をかけなくてもその分極方向を持続させることのできる誘電体(分極により電荷を蓄え、直流電流を通さない物質)のことであり、これを記憶素子とする不揮発メモリがFeRAMである。

　FeRAMは構造などがDRAMに似ていて、フラッシュメモリの10倍以上に及ぶ高速な読み書きが可能である。また、信頼性の面においてもフラッシュメモリ、EEPROMに比べて格段に上と言われている。

FeRAMには大きく分けて2種類のセル構成が提案されている。具体的には、強誘電体キャパシタ(=C)とセル選択用のMOSFET(=T)を組み合わせる方法（1T1C型、またはキャパシター型）と、ゲート絶縁膜が強誘電体からなるFETを用いる方法（1T型、またはトランジスタ型）である。
これら2種類の内では1T1C型の方が動作信頼性が高く、現在主に使われているのはこれをベースにした2T2C型である。これは右図のような構成をしており、2つのキャパシターを逆向きに分極させることでデータの信頼性を高めている。

FeRAMは「FRAM」とも呼ばれるが、これはRamtron社の登録商標である。

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