次世代不揮発メモリー

　現在のDRAMやNAND型フラッシュ・メモリーの用途に向けた次世代不揮発メモリーの候補は4種類あります。FeRAM、MRAM、PRAM、ReRAMです。 ただし、どれか1つの不揮発メモリーで全用途に対応することは難しそうです。

種類	メモ
FeRAM （Ferroelectric RAM）	強誘電体のヒステリシスを利用し正負の自発分極を1と0に対応させて記録
MRAM （Magnetoresistive RAM）	メモリーとして機能する素子がMTJ素子
STT-RAM （spin torque transfer RAM）	微細な磁石に一定方向の電子スピンをもつ電流を流し、記録層の磁化の方向を変える
PRAM （Phase Chanege RAM）	相変化によって抵抗値が変わることを利用してビットを記録
ReRAM	抵抗変化型メモリ。電圧を加えることで抵抗の値が変化する 材料をデータ記録のための素子として用いる

DRAMの微細化が止まる理由は単純である。DRAMはコンデンサ（C）とトランジスタ（T）の対（1T1C）によって、1ビットのデータを記録している。データを読み出す際には、コンデンサの電位の違いを検出する。ところが、微細化を進めるとコンデンサの容量が不足する。これまでは材料や形状の工夫を重ねて対応してきたが、これ以上微細化が進むと改良が難しい段階に到達している（最低限必要な容量である20fFが確保できそうにない）、微細化が進むにつれてリーク電流も増えてしまう等の理由です。

　⇒　フラッシュメモリ (flash memory)