HBT（heterojunction bipolar transistor）

SiGeとSi、GaAsとAlGaAsなど異種の半導体接合（へテロ接合）を利用したバイポーラ・トランジスタの素子構造の一つ。

電流増幅率を落とさずに動作速度を向上することができるため、携帯電話機や無線LANのパワー・アンプなどに用いられる。

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