STT-RAM（spin torque transfer RAM）

　STT-RAMでは、MTJ素子のピン層（固定層）からトンネル絶縁膜部に、スピンの向きがそろった電子が流れ込み、トルク作用を利用してデータの書き込みを行う。Grandis社が提供するIPは、電子がトンネル絶縁膜部に入る前のピン層においてスピンの向きをそろえる技術に関するもの。

IBMは、ハードディスク用磁気記録コンポーネントを得意とするTDKと提携して、STT-RAMの開発を進めている。STT-RAMでは、微細な磁石に一定方向の電子スピンをもつ電流を流し、記録層の磁化の方向を変える。磁化の方向（上下、または左右）に応じて抵抗値が変わることから、抵抗値の大小に「1」または「0」を割り当ててデータを保存することができる。

STT-RAMは寿命の長さでも優位に立つ可能性がある。

○ （IEDM 2009）

台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.、Ltd.（TSMC）と米Qualcomm Inc.は、45nm世代のスピン・トランスファー・トルク（spin transfer torque：STT）方式MRAMを共同開発した。

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