CMP（chemical mechanical polishing）

　化学的機械的研磨。ウェハ表面の平坦化，プラズ マエッチングや RIE（Reactive Ion Etching）などの材 料除去プロセス，また銅のデュアルダマシン法による 配線形成などに使われる。物理的な研磨だけによる シリコンウェハへの損傷を低減するために化学的反応も用いる。平坦化技術という意味で Chemical Mechanical Planarizationという場合もある。

研磨パッドにスラリーと呼ばれる研磨剤を含む酸orアルカリ液体を用いウェハ表面を研磨する。スラリーやパッドによる機械的な研磨効果とスラリーの酸またはアルカリによる化学的なエッチング効果を利用したウェハの研磨方法。

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