SoI(Silicon On Insulator)

　絶縁材料の上に形成さらたSi上にトランジスタ等を形成しICを製造する手法。基板側へのリーク電流や基板との寄生容量が軽減できるため、回路特性が著しく向上する。反面製造工程が複雑になりコスト的なデメリットがある。アイデア自体はサファイア基板上にSiを形成する、SOS (Silocon on Saphire) など古くからあるが、イオン注入技術を利用したSIMOX (Separation by Implantation of Oxygen) によりプロセスの単純化と特性改善を実現している

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