LOCOS（local oxidization of silicon）

　シリコンIC 内の素子間分離に使われる局所酸化膜技術。窒化膜（Si3N4）で IC 素子を作る領域を覆い，高温酸化処理をすると，窒化膜のない領域に酸化膜が作られる。この酸化膜が LOCOSと呼ばれ，隣接素子間の分離に使用される。素子間の距離を短くでき，高集積化に非常に有効な技術である。

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