Subject   : LOCOS(ロコス)

カテゴリー  : 半導体 > 


 LOCOS(local oxidization of silicon)
 シリコンIC 内の素子間分離に使われる局所酸化膜技術。窒化膜(Si3N4)で IC 素子を作る領域を覆い,高温酸化処理をすると,窒化膜のない領域に酸化膜が作られる。この酸化膜が LOCOSと呼ばれ,隣接素子間の分離に使用される。素子間の距離を短くでき,高集積化に非常に有効な技術である。

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