ダマシン ( damascene)

　CMP（Chemical Mechanical Polishing）プロセスの研磨対象である半導体デバイスの配線形成手法の一つ。層間絶縁膜側をエッチングによって金属配線の溝加工を施した後、その中に Cu 等の金属を堆積させ、表面の余分な金属を CMP により除去・平坦化する手法。微細な金属配線用薄膜の加工が不要となり、歩留まりの向上が可能となる。

配線法には二つあり、一つは「シングルダマシン配線法」といって接続孔に金属のコンタクトプラグを形成した後に配線溝を形成する方法。もう一つは「デュアルダマシン配線法」といって接続孔および配線溝を形成した後、金属を一度に埋め込む方法。多層配線層を平坦にするCMP（Chemical Mechanical Polishing）技術と組み合わせて用いられる。

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　⇒　CMP（chemical mechanical polishing）