スピントロニクス（Spintronics）

　電子は「電荷」と「スピン」を持っている。「スピンエレクトロニクス」とは、今まで半導体デバイスで利用してきた電子の電荷に加えて、電子の自由度の一つであるスピンを制御し、新しい機能デバイスを創造しようとする研究領域である。つまり、電子の電荷とスピンの特性をもとに、新しい現象を探索する研究を称する。電子が持つ「スピン」という性質を利用すると，従来の限界を打ち破るような高性能のトランジスタやメモリーができる可能性があり、その実現に向け様々な研究が進められている。

　スピントロニクスは、「トンネル磁気抵抗(TMR)効果」を利用した固体磁気記憶素子ＭＲＡＭ（Magnetoresistive Random Access Memory） や、磁性体などの半導体スピントロニクス、などの新しいデバイスへの応用が期待される。

◆　応用分野

現状の磁気記録や光記録の限界を超える超高密度メモリーへの応用。 磁性ドット、TMR素子、磁性半導体などを用いて、超高速、大容量、低エネルギー、超高密度記録メモリーへの応用。

○　トンネル磁気抵抗（TMR）素子

厚さ数nm以下の薄い絶縁体を２枚の強磁性金属の電極で挟んだ素子である。

○　TMR素子効果

２つの強磁性電極の磁化の相対的な向きが平行な時と反平行な時で、TMR素子の電気抵抗が変化する現象である。

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